| 特長(zhǎng) |
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従來(lái)の100倍のサンプリング數(shù)により、高分解能な測(cè)定が可能です。 |
| 測(cè)定モード |
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| 直流磁化特性 |
| *大印加磁界?印加時(shí)間 |
| 【オプション】非履歴磁化特性 |
| *大印加磁界?周波數(shù)(~10kHz)?バイアス磁界 |
| 【オプション】偏磁磁化特性 |
| 任意磁界可変?任意磁界データ続出 |
| 【オプション】交流磁化特性 |
| *大印加磁界?周波數(shù)(~10kHz)?印加時(shí)間?バイアス磁界 |
| 測(cè)定項(xiàng)目 |
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Bmax:*大磁束密度 Bmin:*小磁束密度 Jmax:*大磁化 Jmin:*小磁化 Hmax:*大印加磁界 Hmin:*小印加磁界 Br:殘留磁束密度 Jr:殘留磁化 Br/Bmax(Jr/Jmax):角型比 Hc:保磁力 μm:*大比透磁率 μi:初比透磁率 W:ヒステリシス損 We:渦電流損 Ps:鉄損 |
| 測(cè)定精度 |
| B計(jì)測(cè)部 |
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直流:±1%(*大磁束密度) 交流:±1%(短絡(luò)時(shí)波高値) |
| H計(jì)測(cè)部 |
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直流:±1%(*大磁束密度) 交流:±1%(短絡(luò)時(shí)波高値) |
| 検出部 |
| 勵(lì)磁電流検出 |
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方式:シャント抵抗法 測(cè)定レンジ:±0.1 ±10[V] |
| 磁束密度検出 |
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方式:デジタル積分法 測(cè)定レンジ:±0.1 ±10[V] |
| 分解能 |
| 24bit |
| サンプルレート |
| 10μsec/1msec(測(cè)定時(shí)間50sec以降) |
| 表示 |
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內(nèi)容:測(cè)定條件?各特性値 グラフ:BH?JH?μrH?JHT |
| 勵(lì)磁電源部 |
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方式:バイポーラ定電流方式 出力:*大出力 ±60[V]/5[A]?±40[V]/15[A](ご注文時(shí)に選択) |
| 入力電源 |
| AC100V±10% 50/60Hz |
| 使用溫度範(fàn)囲 |
| 5~35℃ |
| 付屬品 |
| ノートパソコン、プリンタ、マウス |